دیتاشیت BCP68T1G
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت |
BCP68T1G
|
| حجم فایل |
99.302
کیلوبایت
|
| نوع فایل |
pdf
|
| تعداد صفحات |
7
|
مشخصات
-
RoHS:
true
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
-
Datasheet:
onsemi BCP68T1G
-
Transistor Type:
NPN
-
Operating Temperature:
-65°C~+150°C@(Tj)
-
Collector Current (Ic):
1A
-
Power Dissipation (Pd):
1.5W
-
Transition Frequency (fT):
60MHz
-
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce):
85@500mA,1V
-
Collector Cut-Off Current (Icbo):
10uA
-
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo):
20V
-
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib):
500mV@1A,100mA
-
Package:
SOT-223
-
Manufacturer:
onsemi
