FCH029N65S3-F155 دیتاشیت

FCH029N65S3-F155

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت FCH029N65S3-F155
حجم فایل 67.626 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

مشاهده دیتاشیت FCH029N65S3-F155-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: onsemi FCH029N65S3-F155
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 463W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 201nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 650V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 6.34nF@400V
  • Continuous Drain Current (Id): 75A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4.5V@7mA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 23.7mΩ@10V,37.5A
  • Package: TO-247
  • Manufacturer: onsemi

محصولات مشابه