SIA517DJ-T1-GE3 دیتاشیت

SIA517DJ-T1-GE3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SIA517DJ-T1-GE3
حجم فایل 100.782 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 14

دانلود دیتاشیت SIA517DJ-T1-GE3

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: 1PCSN-Channel&1PCSP-Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Vishay Intertech SIA517DJ-T1-GE3
  • Power Dissipation (Pd): 6.5W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 12V
  • Continuous Drain Current (Id): 4.5A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 29mΩ@4.5V,5A
  • Package: PowerPAK-SC-70-6-Dual
  • Manufacturer: Vishay Intertech
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): -
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): -
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -

محصولات مشابه