- صفحه اصلی
- دانلود دیتاشیت
- دیتاشیت IPB020N04N G
IPB020N04N G دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت | IPB020N04N G |
|---|---|
| حجم فایل | 52.051 کیلوبایت |
| نوع فایل | |
| تعداد صفحات | 9 |
دانلود دیتاشیت IPB020N04N G |
دانلود دیتاشیت |
|---|
سایر مستندات
مستندات دیگری یافت نشد!
مشخصات فنی
- RoHS: true
- Type: N Channel
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: Infineon Technologies IPB020N04N G
- Power Dissipation (Pd): 167W
- Drain Source Voltage (Vdss): 40V
- Continuous Drain Current (Id): 140A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@95uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 2mΩ@10V,100A
- Package: TO-263-7
- Manufacturer: Infineon Technologies
