YJD45G10B دیتاشیت

YANGJIE YJD45G10B

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت YANGJIE YJD45G10B
حجم فایل 71.042 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 6

مشاهده دیتاشیت YANGJIE YJD45G10B

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Yangzhou Yangjie Elec Tech YJD45G10B
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 72W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 16nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 1.135nF@50V
  • Continuous Drain Current (Id): 45A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.8V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 18pF@50V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 14mΩ@10V,20A
  • Package: TO-252
  • Manufacturer: Yangzhou Yangjie Elec Tech

محصولات مشابه