MUN5311DW1T1G دیتاشیت

SMUN5311DW1T1G

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SMUN5311DW1T1G
حجم فایل 89.98 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 11

مشاهده دیتاشیت SMUN5311DW1T1G

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Digital Transistors
  • Datasheet: onsemi MUN5311DW1T1G
  • Transistor Type: 1 NPN - Pre-Biased,1 PNP - Pre-Biased
  • Collector Current (Ic): 100mA
  • Power Dissipation (Pd): 250mW
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 35@5mA,10V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 500nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 50V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 250mV@300uA,10mA
  • Package: SOT-363-6(SC-70-6)
  • Manufacturer: onsemi

محصولات مشابه