RQ1C075UNTR دیتاشیت

RQ1C075UNTR

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت RQ1C075UNTR
حجم فایل 70.139 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 13

دانلود دیتاشیت RQ1C075UNTR

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: ROHM Semicon RQ1C075UNTR
  • Power Dissipation (Pd): 700mW
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 18nC@4.5V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 20V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 1400pF@10V
  • Continuous Drain Current (Id): 7.5A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1V@1mA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 16mΩ@4.5V,7.5A
  • Package: TSMT-8
  • Manufacturer: ROHM Semicon

محصولات مشابه