دیتاشیت SI9945BDY-T1-VB
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت | SI9945BDY-T1-VB |
|---|---|
| حجم فایل | 69.322 کیلوبایت |
| نوع فایل | |
| تعداد صفحات | 9 |
دانلود دیتاشیت SI9945BDY-T1-VB |
SI9945BDY-T1-VB Datasheet |
|---|
مشخصات
- RoHS: true
- Type: 2 N-Channel
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: VBsemi Elec SI9945BDY-T1-VB
- Power Dissipation (Pd): 4W
- Drain Source Voltage (Vdss): 60V
- Continuous Drain Current (Id): 7A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.5V@250uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 28mΩ@10V,4.5A
- Package: SO-8
- Manufacturer: VBsemi Elec
