ASDM20N60KQ-R دیتاشیت

ASDM20N60KQ-R

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت ASDM20N60KQ-R
حجم فایل 63.722 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

مشاهده دیتاشیت ASDM20N60KQ-R

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Ascend ASDM20N60KQ-R
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 60W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 18nC@8V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 20V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 980pF@15V
  • Continuous Drain Current (Id): 60A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 0.7V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 80pF@15V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 5mΩ@4.5V,25A
  • Package: TO-252-3
  • Manufacturer: Ascend

محصولات مشابه