HYG420N06LR1D دیتاشیت

HYG420N06LR1D

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت HYG420N06LR1D
حجم فایل 62.831 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 11

مشاهده دیتاشیت HYG420N06LR1D-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: -
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: HUAYI HYG420N06LR1D
  • Power Dissipation (Pd): -
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): -
  • Drain Source Voltage (Vdss): -
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): -
  • Continuous Drain Current (Id): -
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): -
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): -
  • Package: TO-252
  • Manufacturer: HUAYI

محصولات مشابه