SIR846ADP-T1-GE3 دیتاشیت

SIR846ADP-T1-GE3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SIR846ADP-T1-GE3
حجم فایل 102.574 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 13

مشاهده دیتاشیت SIR846ADP-T1-GE3-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Vishay Intertech SIR846ADP-T1-GE3
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 5.4W;83W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 66nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 2350pF@50V
  • Continuous Drain Current (Id): 60A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 7.8mΩ@10V,20A
  • Package: PowerPAK-SO-8
  • Manufacturer: Vishay Intertech

محصولات مشابه