PJD50N10AL_L2_00001 دیتاشیت

PJD50N10AL_L2_00001

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت PJD50N10AL_L2_00001
حجم فایل 87.037 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 8

مشاهده دیتاشیت PJD50N10AL_L2_00001

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: PANJIT International PJD50N10AL_L2_00001
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 2W;83W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 29nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 1485pF@30V
  • Continuous Drain Current (Id): 6.3A;42A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.5V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 28.5mΩ@4.5V,15A
  • Package: TO-252
  • Manufacturer: PANJIT International

محصولات مشابه