- صفحه اصلی
- دانلود دیتاشیت
- دیتاشیت IPAN60R800CE
IPAN60R800CE دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت | IPAN60R800CE |
|---|---|
| حجم فایل | 70.869 کیلوبایت |
| نوع فایل | |
| تعداد صفحات | 13 |
دانلود دیتاشیت IPAN60R800CE |
دانلود دیتاشیت |
|---|
سایر مستندات
مستندات دیگری یافت نشد!
مشخصات فنی
- RoHS: true
- Type: N Channel
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: Infineon Technologies IPAN60R800CE
- Power Dissipation (Pd): 27W
- Drain Source Voltage (Vdss): 600V
- Continuous Drain Current (Id): 8.4A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3.5V@170uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 800mΩ@10V,2A
- Package: TO-220F
- Manufacturer: Infineon Technologies
