SI4455DY-T1-E3 دیتاشیت

SI4455DY-T1-E3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SI4455DY-T1-E3
حجم فایل 86.473 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

مشاهده دیتاشیت SI4455DY-T1-E3

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Vishay Intertech SI4455DY-T1-E3
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 3.1W;5.9W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 42nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 150V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 1190pF@50V
  • Continuous Drain Current (Id): 2.8A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 295mΩ@10V,4A
  • Package: SOIC-8
  • Manufacturer: Vishay Intertech

محصولات مشابه