HYG017N04LS1C2 دیتاشیت

HYG017N04LS1C2

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت HYG017N04LS1C2
حجم فایل 66.097 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

مشاهده دیتاشیت HYG017N04LS1C2

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: HUAYI HYG017N04LS1C2
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 75W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 31.3nC@4.5V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 40V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 4.332nF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 135A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.8V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 50pF@25V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 1.7mΩ@10V,20A
  • Package: DFN-8(5x6)
  • Manufacturer: HUAYI

محصولات مشابه