دیتاشیت 2SD1007 HQ
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت |
2SD1007 HQ
|
| حجم فایل |
84.822
کیلوبایت
|
| نوع فایل |
pdf
|
| تعداد صفحات |
4
|
مشخصات
-
RoHS:
true
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
-
Datasheet:
Guangdong Hottech 2SD1007 HQ
-
Transistor Type:
NPN
-
Operating Temperature:
+150°C@(Tj)
-
Collector Current (Ic):
700mA
-
Power Dissipation (Pd):
2W
-
Transition Frequency (fT):
90MHz
-
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce):
135@1mA,5V
-
Collector Cut-Off Current (Icbo):
100nA
-
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo):
120V
-
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib):
300mV@500mA,50mA
-
Package:
SOT-89
-
Manufacturer:
Guangdong Hottech
