PJE8405_R1_00001 دیتاشیت

PJE8405_R1_00001

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت PJE8405_R1_00001
حجم فایل 79.167 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 6

مشاهده دیتاشیت PJE8405_R1_00001

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: PANJIT International PJE8405_R1_00001
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 300mW
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 1.6nC@4.5V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 30V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 137pF@15V
  • Continuous Drain Current (Id): 500mA
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.3V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 390mΩ@500mA,4.5V
  • Package: SOT-523-3
  • Manufacturer: PANJIT International

محصولات مشابه