BSZ067N06LS3 G دیتاشیت

BSZ067N06LS3 G

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت BSZ067N06LS3 G
حجم فایل 58.4 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

مشاهده دیتاشیت BSZ067N06LS3 G

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies BSZ067N06LS3 G
  • Power Dissipation (Pd): 69W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 60V
  • Continuous Drain Current (Id): 20A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.2V@35uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 6.7mΩ@10V,20A
  • Package: TSDSON-8(3.3x3.3)
  • Manufacturer: Infineon Technologies

محصولات مشابه