SQD90P04-9m4L_GE3 دیتاشیت

SQD90P04-9m4L_GE3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SQD90P04-9m4L_GE3
حجم فایل 90.271 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

مشاهده دیتاشیت SQD90P04-9m4L_GE3-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Vishay Intertech SQD90P04-9m4L_GE3
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 136W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 155nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 40V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 6675pF@20V
  • Continuous Drain Current (Id): 90A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.5V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 9.4mΩ@10V,17A
  • Package: TO-252-2(DPAK)
  • Manufacturer: Vishay Intertech

محصولات مشابه