SI4800BDY-T1-GE3 دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
|
نام دیتاشیت
|
SI4800BDY-T1-GE3
|
|
حجم فایل
|
73.275
کیلوبایت
|
|
نوع فایل
|
pdf
|
|
تعداد صفحات
|
6
|
مشخصات فنی
-
RoHS:
true
-
Type:
N Channel
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
Vishay Intertech SI4800BDY-T1-GE3
-
Operating Temperature:
-55°C~+150°C@(Tj)
-
Power Dissipation (Pd):
1.3W
-
Total Gate Charge (Qg@Vgs):
13nC@5V
-
Drain Source Voltage (Vdss):
30V
-
Continuous Drain Current (Id):
6.5A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
1.8V@250uA
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
18.5mΩ@10V,9A
-
Package:
SOP-8
-
Manufacturer:
Vishay Intertech
