SE30P09D دیتاشیت

SE30P09D

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SE30P09D
حجم فایل 55.446 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 5

مشاهده دیتاشیت SE30P09D

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: SINO-IC SE30P09D
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 2W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 30nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 30V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 2.06nF@15V
  • Continuous Drain Current (Id): 9A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.5V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 295pF@15V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 15mΩ@10V,10A
  • Package: DFN-8(3x3)
  • Manufacturer: SINO-IC

محصولات مشابه