RD3G600GNTL دیتاشیت

RD3G600GNTL

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت RD3G600GNTL
حجم فایل 69.126 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 14

مشاهده دیتاشیت RD3G600GNTL-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: ROHM Semicon RD3G600GNTL
  • Operating Temperature: +150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 40W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 46.5nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 40V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 3400pF@20V
  • Continuous Drain Current (Id): 60A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.5V@1mA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 150pF@20V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 2.8mΩ@10V,60A
  • Package: TO-252
  • Manufacturer: ROHM Semicon

محصولات مشابه