NCE65T540D دیتاشیت

NCE65T540

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت NCE65T540
حجم فایل 86.762 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

مشاهده دیتاشیت NCE65T540

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Wuxi NCE Power Semiconductor NCE65T540D
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 69W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 14.6nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 650V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 590pF@50V
  • Continuous Drain Current (Id): 8A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 0.9pF@50V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 460mΩ@10V,4A
  • Package: TO-263
  • Manufacturer: Wuxi NCE Power Semiconductor

محصولات مشابه