SPB11N60C3 دیتاشیت

Infineon SPB11N60C3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت Infineon SPB11N60C3
حجم فایل 71.836 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 13

مشاهده دیتاشیت Infineon SPB11N60C3

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: -
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies SPB11N60C3
  • Power Dissipation (Pd): -
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): -
  • Drain Source Voltage (Vdss): -
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): -
  • Continuous Drain Current (Id): -
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): -
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): -
  • Package: TO-263-3
  • Manufacturer: Infineon Technologies

محصولات مشابه