HYG067N07NQ1D دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
|
نام دیتاشیت
|
HYG067N07NQ1D
|
|
حجم فایل
|
71.15
کیلوبایت
|
|
نوع فایل
|
pdf
|
|
تعداد صفحات
|
11
|
مشخصات فنی
-
RoHS:
true
-
Type:
N Channel
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
HUAYI HYG067N07NQ1D
-
Operating Temperature:
-55°C~+175°C@(Tj)
-
Power Dissipation (Pd):
93W
-
Total Gate Charge (Qg@Vgs):
110nC@10V
-
Drain Source Voltage (Vdss):
68V
-
Input Capacitance (Ciss@Vds):
7.089nF@25V
-
Continuous Drain Current (Id):
70A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
3.2V@250uA
-
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds):
139pF@25V
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
6.8mΩ@10V,30A
-
Package:
TO-252
-
Manufacturer:
HUAYI
