HYG067N07NQ1D دیتاشیت

HYG067N07NQ1D

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت HYG067N07NQ1D
حجم فایل 71.15 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 11

مشاهده دیتاشیت HYG067N07NQ1D-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: HUAYI HYG067N07NQ1D
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 93W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 110nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 68V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 7.089nF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 70A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3.2V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 139pF@25V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 6.8mΩ@10V,30A
  • Package: TO-252
  • Manufacturer: HUAYI

محصولات مشابه