PBHV8118T,215 دیتاشیت

PBHV8118T,215

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت PBHV8118T,215
حجم فایل 51.873 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 14

مشاهده دیتاشیت PBHV8118T,215

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: Nexperia PBHV8118T,215
  • Transistor Type: NPN
  • Operating Temperature: +150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 1A
  • Power Dissipation (Pd): 300mW
  • Transition Frequency (fT): 30MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 50@500mA,10V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 100nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 180V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 400mV@100mA,10mA
  • Package: SOT-23
  • Manufacturer: Nexperia

محصولات مشابه