IPP04CN10N G دیتاشیت

IPP04CN10N G

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IPP04CN10N G
حجم فایل 61.423 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 11

مشاهده دیتاشیت IPP04CN10N G-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies IPP04CN10N G
  • Power Dissipation (Pd): 300W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Continuous Drain Current (Id): 100A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 4.2mΩ@10V,100A
  • Package: TO-220-3
  • Manufacturer: Infineon Technologies

محصولات مشابه