- صفحه اصلی
- دانلود دیتاشیت
- دیتاشیت MMDT4146-7-F
Diodes Incorporated MMDT4146-7-F دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت | MMDT4146-7-F |
|---|---|
| حجم فایل | 89.417 کیلوبایت |
| نوع فایل | |
| تعداد صفحات | 5 |
دانلود دیتاشیت MMDT4146-7-F |
دانلود دیتاشیت |
|---|
سایر مستندات
مستندات دیگری یافت نشد!
مشخصات فنی
- RoHS: true
- Category: Transistors/Thyristors/Bipolar (BJT)
- Datasheet: Diodes Incorporated MMDT4146-7-F
- Transistor Type: NPN+PNP
- Operating Temperature: -25°C~+150°C
- Collector Current (Ic): 200mA
- Power Dissipation (Pd): 200mW
- Transition Frequency (fT): 300MHz
- DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 120@2.0mA,1.0V
- Collector Cut-Off Current (Icbo): 50nA
- Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 25V
- Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 300mV@50mA,5.0mA
- Package: SOT-363