SVS11N65FJD2 دیتاشیت

SVS11N65FJD2

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SVS11N65FJD2
حجم فایل 76.881 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

دانلود دیتاشیت SVS11N65FJD2

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Hangzhou Silan Microelectronics SVS11N65FJD2
  • Power Dissipation (Pd): 23W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 650V
  • Continuous Drain Current (Id): 11A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 400mΩ@10V,5.5A
  • Package: TO-220F-3
  • Manufacturer: Hangzhou Silan Microelectronics

محصولات مشابه