Chongqing Pingwei Tech 12N65TF دیتاشیت

12N65TF

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت 12N65TF
حجم فایل 69.919 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

مشاهده دیتاشیت 12N65TF-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: 1 N-channel
  • Category: Transistors/Thyristors/MOSFETs
  • Datasheet: Chongqing Pingwei Tech 12N65TF
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C
  • Power Dissipation (Pd): 33W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 58nC@480V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 650V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 2.107nF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 12A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 16pF
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 750mΩ@10V,6A
  • Package: TO-220TF-3

محصولات مشابه