KIA2906AP دیتاشیت

KIA2906AP

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت KIA2906AP
حجم فایل 40.26 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 6

مشاهده دیتاشیت KIA2906AP

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: KIA Semicon Tech KIA2906AP
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 200W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 66.34nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 60V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 3100pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 130A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 451pF@25V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 5.5mΩ@10V,50A
  • Package: TO-220-3
  • Manufacturer: KIA Semicon Tech

محصولات مشابه