MG200HF12MRC2 دیتاشیت

MG200HF12MRC2

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت MG200HF12MRC2
حجم فایل 66.788 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 6

مشاهده دیتاشیت MG200HF12MRC2

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: IGBT Modules
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/IGBTs
  • Datasheet: Yangzhou Yangjie Elec Tech MG200HF12MRC2
  • Operating Temperature: -40°C~+150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 300A
  • Power Dissipation (Pd): 1.15kW
  • Turn?on Delay Time (Td(on)): 135ns
  • Input Capacitance (Cies@Vce): 12.5nF@25V
  • Turn?on Switching Loss (Eon): 17mJ
  • Diode Forward Voltage (Vf@If): 2V@150A
  • Total Gate Charge (Qg@Ic,Vge): -
  • Turn?off Delay Time (Td(off)): 490ns
  • Pulsed Collector Current (Icm): 400A
  • Turn?off Switching Loss (Eoff): 13.6mJ
  • Diode Reverse Recovery Time (Trr): 230ns
  • Collector Cut-Off Current (Ices@Vce): 400uA@1.2kV
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces): 1.2kV
  • Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic): 6V@6mA
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Vge): 2V@150A,15V
  • Package: -
  • Manufacturer: Yangzhou Yangjie Elec Tech

محصولات مشابه