HXY50N03DF دیتاشیت

HXY50N03DF

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت HXY50N03DF
حجم فایل 72.38 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 6

مشاهده دیتاشیت HXY50N03DF

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: HXY MOSFET HXY50N03DF
  • Drain Source Voltage (Vdss): 30V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 1317pF@15V
  • Continuous Drain Current (Id): 50A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.5V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 9.5mΩ@10V,12A
  • Package: DFN-8L(3x3)
  • Manufacturer: HXY MOSFET

محصولات مشابه