HYG110P04LQ2C2 دیتاشیت

HYG110P04LQ2C2

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت HYG110P04LQ2C2
حجم فایل 66.532 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

دانلود دیتاشیت HYG110P04LQ2C2

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: HUAYI HYG110P04LQ2C2
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 62.5W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 76nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 40V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 4468pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 55A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.6V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 140pF@25V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 9mΩ@10V,20A
  • Package: DFN-8(5x6)
  • Manufacturer: HUAYI

محصولات مشابه