SS8550W دیتاشیت

SS8550W

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SS8550W
حجم فایل 83.454 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 3

مشاهده دیتاشیت SS8550W

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: CBI SS8550W
  • Transistor Type: PNP
  • Operating Temperature: +150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 1.5A
  • Power Dissipation (Pd): 200mW
  • Transition Frequency (fT): 100MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 120@100mA,1V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 100nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 25V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 500mV@800mA,80mA
  • Package: SOT-323(SC-70)
  • Manufacturer: CBI

محصولات مشابه