G12P10K دیتاشیت

G12P10K

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت G12P10K
حجم فایل 82.735 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 6

مشاهده دیتاشیت G12P10K

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: GOFORD G12P10K
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 57W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 33nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 1720pF@50V
  • Continuous Drain Current (Id): 12A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 200mΩ@10V,6A
  • Package: TO-252(DPAK)
  • Manufacturer: GOFORD

محصولات مشابه