APJ14N65D دیتاشیت

APJ14N65D

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت APJ14N65D
حجم فایل 70.06 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

مشاهده دیتاشیت APJ14N65D

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: A Power microelectronics APJ14N65D
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 25.5W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 11nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 650V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 438pF@100V
  • Continuous Drain Current (Id): 8A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3.3V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 1.32pF@100V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 560mΩ@10V,3.2A
  • Package: TO-252-3
  • Manufacturer: A Power microelectronics

محصولات مشابه