SI7922DN-T1-GE3 دیتاشیت

SI7922DN-T1-GE3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SI7922DN-T1-GE3
حجم فایل 88.095 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 12

مشاهده دیتاشیت SI7922DN-T1-GE3

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: 2 N-Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Vishay Intertech SI7922DN-T1-GE3
  • Power Dissipation (Pd): 1.3W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Continuous Drain Current (Id): 1.8A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3.5V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 195mΩ@10V,2.5A
  • Package: PowerPAK1212-8
  • Manufacturer: Vishay Intertech

محصولات مشابه