SVD501DEAGTR دیتاشیت

SVD501DEAGTR

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SVD501DEAGTR
حجم فایل 50.295 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

مشاهده دیتاشیت SVD501DEAGTR

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Hangzhou Silan Microelectronics SVD501DEAGTR
  • Power Dissipation (Pd): 800mW
  • Drain Source Voltage (Vdss): 600V
  • Continuous Drain Current (Id): 30mA
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1V@8uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 700Ω@0V,3mA
  • Package: SOT-23
  • Manufacturer: Hangzhou Silan Microelectronics

محصولات مشابه