IPP040N06N3 G دیتاشیت

IPP040N06N3 G

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IPP040N06N3 G
حجم فایل 48.649 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

دانلود دیتاشیت IPP040N06N3 G

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies IPP040N06N3 G
  • Power Dissipation (Pd): 188W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 60V
  • Continuous Drain Current (Id): 130A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@90uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 4mΩ@10V,90A
  • Package: TO-220
  • Manufacturer: Infineon Technologies

محصولات مشابه