IMX9T110 دیتاشیت

IMX9T110

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IMX9T110
حجم فایل 69.621 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 4

مشاهده دیتاشیت IMX9T110

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: ROHM Semicon IMX9T110
  • Transistor Type: 2 NPN
  • Operating Temperature: +150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 500mA
  • Power Dissipation (Pd): 300mW
  • Transition Frequency (fT): 350MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 560@10mA,3V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 500nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 20V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 180mV@500mA,20mA
  • Package: SC-74
  • Manufacturer: ROHM Semicon

محصولات مشابه