RHU002N06T106 دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
|
نام دیتاشیت
|
RHU002N06T106
|
|
حجم فایل
|
57.415
کیلوبایت
|
|
نوع فایل
|
pdf
|
|
تعداد صفحات
|
4
|
مشخصات فنی
-
RoHS:
true
-
Type:
N Channel
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
ROHM Semicon RHU002N06T106
-
Power Dissipation (Pd):
200mW
-
Total Gate Charge (Qg@Vgs):
4.4nC@10V
-
Drain Source Voltage (Vdss):
60V
-
Input Capacitance (Ciss@Vds):
15pF@10V
-
Continuous Drain Current (Id):
200mA
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
-
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
2.4Ω@10V,200mA
-
Package:
SOT-323(SC-70)
-
Manufacturer:
ROHM Semicon
