VBZFB06N02 دیتاشیت

VBZFB06N02

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت VBZFB06N02
حجم فایل 74.18 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

دانلود دیتاشیت VBZFB06N02

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: VBsemi Elec VBZFB06N02
  • Power Dissipation (Pd): -
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): -
  • Drain Source Voltage (Vdss): 30V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): -
  • Continuous Drain Current (Id): 35A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): -
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 20mΩ@10V,35A
  • Package: TO-251
  • Manufacturer: VBsemi Elec

محصولات مشابه