SI8489EDB-T2-E1 دیتاشیت

SI8489EDB-T2-E1

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SI8489EDB-T2-E1
حجم فایل 87.289 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 8

مشاهده دیتاشیت SI8489EDB-T2-E1-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Vishay Intertech SI8489EDB-T2-E1
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 780mW;null
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 27nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 20V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 765pF@10V
  • Continuous Drain Current (Id): 3.06A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.2V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 44mΩ@10V,1.5A
  • Package: UFBGA-4
  • Manufacturer: Vishay Intertech

محصولات مشابه