SIHH27N60EF-T1-GE3 دیتاشیت

SIHH27N60EF-T1-GE3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SIHH27N60EF-T1-GE3
حجم فایل 94.211 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

مشاهده دیتاشیت SIHH27N60EF-T1-GE3

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Vishay Intertech SIHH27N60EF-T1-GE3
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 202W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 135nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 600V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 2609pF@100V
  • Continuous Drain Current (Id): 29A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 100mΩ@10V,13.5A
  • Package: PowerPAK
  • Manufacturer: Vishay Intertech

محصولات مشابه