UTC(Unisonic Tech) 4N60L-B-TM3-T دیتاشیت

4N60L-B-TM3-T

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت 4N60L-B-TM3-T
حجم فایل 47.392 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

دانلود دیتاشیت 4N60L-B-TM3-T

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: 1 N-Channel
  • Category: Transistors/Thyristors/MOSFETs
  • Datasheet: UTC(Unisonic Tech) 4N60L-B-TM3-T
  • Power Dissipation (Pd): 50W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 600V
  • Continuous Drain Current (Id): 4A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 2.5Ω@10V,2.2A
  • Package: TO-251(IPAK)

محصولات مشابه