IPD50R1K4CE دیتاشیت

IPD50R1K4CE

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IPD50R1K4CE
حجم فایل 71.747 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 14

مشاهده دیتاشیت IPD50R1K4CE

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: -
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies IPD50R1K4CE
  • Power Dissipation (Pd): -
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): -
  • Drain Source Voltage (Vdss): -
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): -
  • Continuous Drain Current (Id): -
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): -
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): -
  • Package: TO-252
  • Manufacturer: Infineon Technologies

محصولات مشابه