30P55K دیتاشیت

30P55K

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت 30P55K
حجم فایل 69.191 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 6

مشاهده دیتاشیت 30P55K

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Shenzhen Fuman Elec 30P55K
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 24.8W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 37nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 30V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 3564pF@15V
  • Continuous Drain Current (Id): 40A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.6V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 373pF@15V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 8.5mΩ@10V,20A
  • Package: TO-252
  • Manufacturer: Shenzhen Fuman Elec

محصولات مشابه