APG082N01 دیتاشیت

APG082N01

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت APG082N01
حجم فایل 67.971 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 5

مشاهده دیتاشیت APG082N01

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: ALLPOWER(ShenZhen Quan Li Semiconductor) APG082N01
  • Operating Temperature: +150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 155W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 47nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 2435pF@50V
  • Continuous Drain Current (Id): 100A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 11pF@50V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 6.7mΩ@10V,40A
  • Package: TO-220
  • Manufacturer: ALLPOWER(ShenZhen Quan Li Semiconductor)

محصولات مشابه