NCE01P18K دیتاشیت

NCE01P18K

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت NCE01P18K
حجم فایل 77.005 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

مشاهده دیتاشیت NCE01P18K

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Wuxi NCE Power Semiconductor NCE01P18K
  • Power Dissipation (Pd): 70W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Continuous Drain Current (Id): 18A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 100mΩ@10V,16A
  • Package: TO-252
  • Manufacturer: Wuxi NCE Power Semiconductor

محصولات مشابه